三清仪器光刻胶 PI 固化无氧烘烤箱 GMO-60D 是一款用于特定工艺的设备，以下是其详细介绍：
参照标准：该烘箱参照 GB/T11158-1989、GB2423.2-1989 干燥箱技术条件及国家相关标准研究制造。
适用范围：广泛用于 IC 封装、晶体管、传感器、石英晶体振荡器、混合集成电路板等领域，适用于光刻胶 PI 固化等工艺，使用时室内充满惰性气体（如 CO₂、N₂），可防止材料在操作中氧化。
主要技术指标：
含氧量：≤20ppm
温度范围：+60~+550℃
温度均匀度：±2.5℃（在 200℃时，空载）；±5℃（在 350℃时，空载）
升温速度：常温～400℃，升温速度 > 6℃/min
温控精度：±1℃
工作室尺寸：W600×H600×D600（mm）
外形尺寸：W1190×H1730×D1100（mm）
功率：9KW
产品特点：
保温性能：箱体选用全陶瓷纤维保温，具有升温快、节能等特点。
温度均匀性：独特的送风、排风系统，确保炉箱温度均匀。
洁净度：吸风口玻纤过滤器，可确保洁净度要求，工作室材料使用 SUS321 镜面不锈钢，洁净等级高，不发黄。
加热方式：采用不锈钢加热器加热，加热面积大，温度分布更加均匀。
记录功能：配备温度和氧含量记录，采用进口无纸记录仪。
三清仪器 GMO-60D 光刻胶 PI 固化无氧烘烤工艺流程
GMO-60D 是专为光刻胶 PI（聚酰亚胺）固化设计的无氧烘烤箱，核心是在 ≤20ppm 低氧 、高洁净氮气氛下，通过分段升温 - 保温 - 降温，完成 PI 前体的溶剂脱除、亚胺化与致密化，同时避免氧化与热应力损伤。以下为完整、可执行的标准工艺流程，含关键参数与质控要点。
准备阶段（Pre-Process）
设备与环境准备
清洁：用无尘布 + 异丙醇（IPA）擦拭工作室（SUS321 镜面不锈钢）、搁板、风道与过滤器，确保无颗粒、油污、残留胶渍；检查玻纤过滤器无破损，必要时更换。
氮气与安全：确认高纯度 N₂（≥99.999%）供应压力 0.4–0.6MPa，管路无泄漏；检查氧含量分析仪、温控系统、超温 / 低氧报警功能正常；空载试运行，验证含氧量≤20ppm、温度均匀度达标（200℃±2.5℃，350℃±5℃）。
载具：使用洁净、耐高温（≥400℃）的石英 / 陶瓷载具或 SUS316L 花篮，避免金属污染；载具需预烘烤（200℃/30min）去除水分与残留。
工件前处理
涂覆与软烘：完成 PI 前体（Polyimide Precursor）均匀涂覆（旋涂 / 喷涂）后，先进行软烘（90–120℃，1–3min），初步脱除溶剂，防止后续升温时溶剂暴沸导致胶层针孔。
检查与入盒：在百级洁净台检查胶层无气泡、针孔、划痕、膜厚均匀；将工件平稳放入载具，避免叠放与摩擦。
后处理与质控（Post-Process）
出片与检查
出片：在百级洁净台取出工件，避免触碰胶面；检查表面无变色、黄变、针孔、裂纹、翘曲。
检测：
膜厚：用台阶仪测量，偏差≤±5%；
附着力：做划格试验（百格刀），无脱落；
微观：用光学显微镜 / SEM 观察无针孔、气泡、分层；
性能：按需求测试介电常数、热稳定性、耐化学性。
设备复位
清洁：用 IPA 擦拭工作室与载具，清除残留；
维护：记录工艺参数、温度 / 氧含量曲线；定期更换过滤器、检查 N₂管路与密封件；
关机：关闭加热、N₂，保持炉内干燥。
关键工艺注意事项
氧含量控制：全程≤20ppm，否则 PI 易氧化黄变、性能下降；定期校准氧分析仪，确保数据准确。
升温 / 降温速率：过快易导致胶层针孔、开裂；过慢影响效率，需按 PI 前体特性优化。
膜厚与温度匹配：厚膜（>10μm）需延长保温时间或提高上限温度（但不超过 PI 分解温度）。
洁净度：全程在百级环境操作，避免颗粒污染导致器件失效。
安全：N₂为惰性气体，需保证操作区域通风，防止缺氧；高温操作时避免接触炉体，防止烫伤。
