光刻涂胶工艺中绝大多数的光刻胶都是疏水特性的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水特性的，这就会造成光刻胶和硅片的黏合性较差。尤其是在正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。在半导体微电子生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况，将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
HMDS是气相涂布在硅片表面，也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一会儿，温度约100-180度即可。HMDS处理后需要冷却后涂胶，但等待时间不能太长，过长处理效果会变差，建议4小时内完成涂胶。由于HMDS是极易挥发的液体，HMDS处理流程肯定是要密闭并且有专门真空环境的，否则效果不佳。三清仪器HMDS基片预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程中的温度，时间，等参数的设置可在硅片表面均匀涂布一层HMDS，提高光刻胶和硅片的粘结性及降低光刻胶的用量。
HMDS烤箱使用流程，首先确定烘箱的工作温度，然后抽取真空，达到真空度后冲入氮气。循环抽取真空，冲入氮气，达到预设充氮次数后，保持一段时间让硅片充分受热，减少硅片本身的水分，再次抽取真空，冲入HMDS气体，让硅片和HMDS充分反应，到达预设时间后，再次抽取真空，充入氮气，完成整个流程。
